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雄山株式会社

「最新半導体技術開発における信頼性測定」

■ 講師

クリス・ヘンダーソン　Chris Henderson
Semitracks Inc.社長
ISTFA 2007 General Chair、IRPS メンバー

［略歴］
ニューメキシコ鉱業技術大学で理学士号、ニューメキシコ大学で修士号を取得。BFグッドリッチエアロスペース社、ハネウェル社、インテル社を経て、1988年から2004年まで米国サンディア国立研究所に勤務。故障解析部門とマイクロシステム共同部門で専門職の主要メンバーとなる。サンディア研究所ではマイクロエレクトロニクス開発研究所で製造した部品の故障歩留解析と欠陥の電気的挙動に関する研究に従事し、米国国防総省向けのマイクロエレクトロニクス問題に関する顧問を兼務。この間、各種学会で半導体プロセス、信頼性、故障解析、試験に関する20以上の論文を発表。2つの研究開発で100あまりの賞と2つの最優秀論文賞を受賞。現在、米国に拠点を置く半導体産業界に従事するエンジニアに対する教育・研修、コンサルティング業務を手掛けるSemitracks社（ Webサイト：http://www.semitracks.com/ ）の創設者、社長であるとともに半導体技術に関する故障解析・信頼性コースの講師としても活躍。
IEEE、EDFAS(米国電子デバイス故障解析学会)会員、ISTFA 2007 General Chair、IRPSメンバー。

■ 講師より

半導体の信頼性は岐路に立っています。これまで、信頼性とは回路の信頼性に影響を与える故障メカニズムの発見、分類、モデリングとその究明を指してきました。現在、信頼性は新材料の影響評価、限られたマージンへの対応など、性能と信頼性の間のトレードオフを必要としています。解析実験は現在、実装レベルの代わりにウエハレベルで行われています。これは、実験計画、試験、専門技術、プロセス、材料学、化学、顧客要求といった対象に関する知識を求められています。産業界での信頼性レベルがこれまでにないほど高レベルにあるとはいえ、安易な変更は信頼性を瞬時に悪化させる可能性をもっています。企業はこれらの問題解決に貢献する有能な技術者と研究者を必要としています。今回開催するセミナー「最新半導体技術開発における信頼性測定」は、半導体の信頼性と特性に関する様々な対象について詳細な教育を提供する特別な半日コースとなります。本コースは、半導体部品を使用するまたは装置を産業界へ供給している半導体分野の信頼性関連業務に従事している管理者、研究者、開発技術者、技術系社員の方を対象としています。

■ セミナーの目的

このセミナーは高信頼性部品を実現するための故障メカニズム、試験構築、機器、試験方法に関する深い理解を出席者にもたらします。
出席者はデータを集め、それをプロットするのにどの方法がベストであるかを決定し、データからの推測ができるようになります。
このセミナーは主要な故障メカニズムを特定し、それらがどのように観測され、どのようにモデル化し、どのように取除くのかについて説明します。
出席者は基本的な試験構造とそれらが半導体デバイスで信頼性を定量化するためにどのように使用されるのかを確認できるようになります。

■ セミナー概要

1. 信頼性概論
　　　a. 基本概念
　　　b. 定義について
　　　c. 過去の情報

2. 信頼性における分布と使用方法
　　　a. 正規分布
　　　b. 対数正規分布
　　　c. ワイブル分布
　　　d. 指数分布
　　　e. どの分布を使うべきか

3. ダイレベルの故障メカニズム
　　　a. TDDB
　　　　　　i. 基本概念
　　　　　　ii. ソフトブレークダウン
　　　　　　iii. High-K（高誘電率）膜材料
　　　　　　iv. Cu/Low-K (低誘電率)膜の課題
　　　b. ホットキャリアダメージ/ NBTI
　　　c. エレクトロマイグレーション
　　　　　　i. Al/SiO2配線
　　　　　　ii. Cu/Low-K(低誘電率)配線
　　　d. SIV/ストレスマイグレーション

4. パッケージレベルメカニズム
　　　a. 吸湿/腐食
　　　b. 熱・機械的ストレス
　　　c. 熱サイクルストレス

5. 試験構築と試験機器
　　　a. 試験構築
　　　　　　i. パラメトリック試験構築
　　　　　　ii. 信頼性試験構築
　　　　　　iii. 自己ストレス試験構築
　　　b. 試験機器
　　　　　　i. パッケージ品試験
　　　　　　ii. ウエハレベル試験

6. 選別試験、ストレス試験、寿命試験の開発

7. 今後の信頼性課題

（用語）
TDDB ：　Time Dependent Dielectric Breakdown　(経時絶縁膜破壊)
NBTI　：　Negative Bias Temperature Instability　(負バイアス温度不安定性)
SIV　　：　Stress Induced Voiding 　(ストレス誘起ボイド形成)

■ 対象者

半導体分野の信頼性関連業務に従事している管理者、研究者、開発技術者、技術系社員の方。

■ 申込期限

ご登録、参加費用は無料。当セミナーは事前登録制です。お申込はお早めにお願いいたします。

■ 開催日時

2007年12月6日（木）午前または午後の半日コース（各３時間30分）
午前コース（9:30～13:00）　午後コース（14:00～17:30)

■ 開催場所

ホテルグリーンタワー幕張　２Ｆ　ローズルーム
千葉市美浜区ひび野2-10-3
Tel. 043-296-1122
（JR京葉線海浜幕張駅から徒歩２分）

■ 登録・問合せ

雄山株式会社　計測機器部
技術セミナー受付係
Tel. 03-3403-0771　Fax. 03-3403-0813
e-mail：info4@oyama-company.co.jp

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