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水銀プロ−バ CVmapシリーズ

Four Dimensions, Inc.

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再現性、安全性に非常に優れた水銀プローブ方式を用いたCV/IV測定システムです。Si、化合物、SOI、SiC、バルクウェハといった様々なタイプのウェハ特性を測定できます。
ユーザが最大49箇所の測定サイトを指定し、C-V、I-V特性、TDDB、Vbd、Qbdの酸化膜破壊評価、Dit、ドーピング濃度、酸化膜厚、Low-k、High-k等のマッピング測定が可能なトータルシステムです。

  1. 8インチウェハ対応タイプ CVmap92 A/B
  2. 12インチウェハ対応タイプ CVmap3093 A/B
  3. C to C自動搬送対応タイプ CVmap3093 AC/BC
  4. フラットパネル対応タイプ CVmap FP-1
  5. マニュアル操作タイプ CV92MNEW
※商品の画像をクリックすると拡大画面が表示されます。

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1. 8インチウェハ対応タイプ CVmap92 A/B
CVmap92A CVmap92A 標準モデル
2点からのプローブ方式を用いたC-V、I-V測定器です。ウェハサイズは1〜8インチまで対応し,最大49サイトまでのマッピング測定が行えます。TDDB、界面トラップ密度、ピンホール密度、キャリア濃度などの様々な評価ができます 。


CVmap92B SOIウェハ対応モデル
CVmap92Aの機能を備えつつ、3点からのプロービングを可能としています。この複合測定は擬似MOSFET状態を実現し、インシュレータ層の界面トラップ密度など、Top-Si層を除去することなしに測定することができます。


サイズ:W:D:H
      559×508×330 o (A/B共通)






2. 12インチウェハ対応タイプ CVmap3093 A/B
CVmap3093A CVmap3093A 標準モデル
CVmap92Aの12インチウェハ対応モデルです。2点からのプローブ方式を用いたC-V、I-V測定器で、ウェハサイズは1〜12インチまで対応し,ウェハ全面を任意サイトで測定することができます。等高線・3Dマップも作成できます。


CVmap3093B SOIウェハ対応モデル
CVmap92Bの12インチウェハ対応モデルです。3点からのプロービングを可能としています。この複合測定は擬似MOSFET状態を実現し、インシュレータ層の界面トラップ密度など、Top-Si層を除去することなしに測定することができます。


サイズ:W:D:H
      826×839×407 o (A/B共通)






3. C to C自動搬送対応タイプ CVmap3093 AC/BC
CVmap3093AC CVmap3093AC 標準モデル
CVmap3093AのC to C(Cassette to Cassette)自動搬送に対応したモデルです。2点からのプローブ方式を用いたC-V、I-V測定器です。ウェハは6、8、12インチのサイズに対応し,ウェハ全面を任意サイトで測定することができます。等高線・3Dマップも作成できます。


CVmap3093BC SOIウェハ対応モデル
CVmap3093BのC to C(Cassette to Cassette)自動搬送に対応したモデルです。ウェハは6、8、12インチのサイズに対応し,ウェハ全面を任意サイトで測定することができます。3点からのプロービングを可能としています。この複合測定は擬似MOSFET状態を実現し、インシュレータ層の界面トラップ密度など、Top-Si層を除去することなしに測定することができます。


サイズ:W:D:H
      1168×915×1778 o (AC/BC共通)






4. フラットパネル対応タイプ CVmap FP-1
CVmap FP-1 CVmap FP-1 標準モデル
CVmap3093A/Bをベースに、フラットパネルに対応したモデルです。フラットパネル用のXYステージを備えています。








5. マニュアル操作タイプ CV92M
CV92M CV92M マニュアルモデルNEW
CVmap92Aから内部測定機能と自動マッピングソフトウェアを取り除いた、手動操作に特化したモデルです。試料台の移動や水銀プローブのコンタクト操作は前面パネルのボタンで行います。試料台はモーターで動作する電動式で、ウェハサイズは1〜8インチに対応しています。
外部計測器と組み合わせてCV測定、IV測定ができます(測定には外部計測器が別途必要です)。オプションとして計測・解析用のソフトウェアを取り揃えています。




サイズ:W:D:H
      610×800×270 o






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